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sales@mydled.com 诚信12年导读：LED的结温原理及结温升高会对LED产生的影响问题，静电破坏的原理以及列举一些类型的LED容易受静电破坏导致失效，探讨LED路灯防雷能用一个压敏电阻的问题，解读设计高品质LED驱动电路的方法和选择和设计LED驱动电源时要考虑哪些因素等问题。下面就跟随k8凯发天生赢家一触即发迪光电一起来了解下
LED的结温原理及结温升高会对LED产生的影响问题，静电破坏的原理以及列举一些类型的LED容易受静电破坏导致失效，探讨LED路灯防雷能用一个压敏电阻的问题，解读设计高品质LED驱动电路的方法和选择和设计LED驱动电源时要考虑哪些因素等问题。下面就跟随k8凯发天生赢家一触即发迪小编一起来了解下。
问：单个LED的流明效率与用LED作光源构成的灯具的流明效率有什么异同?
答：针对某一个特定的LED，加上规定的正向偏置，如加上IF=20mA正向电流后(对应的VF≈3.4V)，测得的辐射光通量Φ=1.2lm，则这个LED的流明效率为η=1.2lm×1000/3.4V×20mA=1200/68≈17.6lm/W。显然，对单个LED，如施加的电功率Pe=VF×IF，那么在这个功率下测得的辐射光通量折算为每瓦的流明值即为单个LED的流明效率。
但是，作为一个灯具，不论LEDPN结上实际加上的功率VF×IF是多少，灯具的电功率总是灯具输入端口送入的电功率，它包括电源部分(如稳压器、稳流源、交流整流成直流电源部分等)所消耗的功率。灯具中，驱动电路的存在使它的流明效率比测试单个LED的流明效率要下降。电路损耗越大，流明效率越低，因此，寻找一种高效率的LED驱动电路就显得极为重要。
问：什么是LED的结温?结温升高会对LED造成什么影响?
答：LED基本结构是一个半导体的PN结。当电流流过LED器件时，PN结的温度将上升，严格意义上说，就把PN结区的温度定义为LED的结温。通常由于器件芯片均具有很小的尺寸，因此我们也可把LED芯片的温度视之为结温。
当PN结的温度(例如环境温度)升高时，PN结内部的杂质电离加快，本征激发加速。当本征激发产生的复合载流子的浓度远远超过杂质浓度时，本征载流子的数量增大的影响较之迁移率减小的半导体电阻率变化的影响更为严重，导致内量子效率下降，温度升高又导致电阻率下降，使同样IF下，VF降低。如果不用恒流源驱动LED，则VF降将促使IF指数式增加，这个过程将使LEDPN结上温升更加快，最终温升超过最大结温，导致LEDPN结失效,这是一个正反馈的恶性过程。
PN结上温度升高，使半导体PN结中处于激发态的电子/空穴复合时从高能级向低能级跃迁时发射出光子的过程发生退化。这是由于PN结上温度升高时，半导体晶格的振幅增大，使振动的能量也发生增加，当它超过一定值时，电子/空穴从激发态跃迁到基态时会与晶格原子(或离子)交换能量，于是成为无光子辐射的跃迁，LED的光学性能退化。
问：什么是静电破坏?哪些类型的LED容易受静电破坏导致失效?
答：静电实际上是由电荷累积构成。人们在日常生活中，特别在干燥天气环境中，当用手去触摸门窗类物品时会感觉“触电”，这就是门窗类物品静电积累到一定程度时对人体的“放电”。对于羊毛织品、尼龙化纤物品，静电积累起来的电压可高达一万多伏特，电压十分高，但静电功率不大，不会威胁生命，然而对于某些电子器件却可以致命，造成器件失效。
LED中用GN基构成的器件，由于是宽禁带半导体材料，它的电阻率较高，对于InGaN/AlGaN/GaN的双异质结蓝色光LED，其InGaN的有源层的厚度一般只有几十纳米，再由于这种LED的两个正、负电极在芯片同一面上，之间距离很�。袅蕉司驳绲绾衫刍揭欢ㄖ凳�，这一静电电压会将PN击穿，使其漏电增大，严重时PN结击穿短路，LED失效。
正因为存在静电威胁，对于上述结构的LED芯片和器件在加工过程中对加工厂地、机器、工具、仪器，包括员工服装均要采取防静电措施，确保不损伤LED。另外，在芯片和器件的包装上也要采用防静电材料。
问：LED路灯防雷能用一个压敏电阻吗
答：关于路灯的防雷设计并非是一个简单的问题。首先要了解你的路灯系统方案全貌架构，如采用AC-->开关电源-->恒流源-->LED光源的方案，那么，你应该首先考虑开关电源的防雷，雷击的侵入往往是由AC电线导入的，先被侵害的主体应该是开关电源，经开关电源输出的直流电压理论上是一干净的电源，至此雷击对恒流源的影响已经很小了。LED路灯一般是买现成的开关电源来配套，因此你在选用时特别选购能防雷击的开关电源，即在开关电源的输入端已设置防雷击电路。
问：LED被静电击穿的原理和过程是怎么样的?会有何影响?
答：LED属于半导体类元件，它的PN结是直接裸露在外头的，很容易接触静电。当LED两个电极上极性不同的电荷积累(产生电荷或者转移过来的电荷)到一定的程度，又得不到及时释放，电荷能量一旦超过LED芯片最大承受值时，电荷将以极短的瞬间(纳秒级别)在LED两个电极层之间进行放电，产生功率焦耳的热量，在导电层之间局部(往往是电阻值最小、电极周边的)会形成1400℃以上的高温，高温将会把导电层之间熔融成一些小孔，从而造成漏电、暗亮、死灯、电性飘移等现象。
这个击穿LED的静电能量它并非就是一个高压，学术的讲是一个能量，它取决于电荷的量和的时间长短这两个核心系数。放电刹那的时间越短威力越大，电荷越多威力也越大。静电击穿LED是个非常复杂的过程，因此，测试LED抗静电时的模拟设计也是一项很复杂、很严谨的测试。
被静电击损后的LED如果是比较严重的往往是死灯、漏电。轻微的静电损伤，LED一般没有什么异常，但此时，该LED已经有一定的隐患，当它受到二次静电损伤时，那就会出现暗亮、死灯、漏电增大啦。
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